Pt/Ti/SiO2/Si-硅外延片-硅基衬底

经过数十年的发展，薄膜外延生长技术已成为当今电子工业的重要基石，其中硅外延片是制造各种半导体器件的核心材料，它在消费品、工业、军事和空间电子领域都有应用。

目前，在硅衬底上可以制备普通外延层、多层外延层、超高电阻外延层和超厚外延层。外延层的电阻率可达1000欧姆以上。电导率类型为：P/P++，N/N++，N/N+/N++，N/P/P，P/N/N+。

火影科技有限公司专业提供Pt/Ti/SiO2/Si基片，满足科研可应用需求。

技术规格

Pt 层 : 150 nm

Ti 层 : 20 nm

SiO2 层: 300 nm

基底硅片的规格： 

类型/掺杂: P/BS

晶向:<100>+/-0.5degree

尺寸:  ∅4” x 0.5 mm

表面处理: 单面抛光

本文关键字： 硅衬底 硅外延片