Ge-高纯锗-锗衬底

锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素（如铟、镓、硼）以获得P型锗半导体，五价元素（如锑、砷和磷）掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。

高质量的锗衬底可用于聚光光伏（CPV）、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管（LED）应用。

使用/应用

高质量的锗衬底可用于聚光光伏（CPV）、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管（LED）应用。

特点/优势

锗掺杂三价元素得到P型锗半导体，掺杂五价元素得到N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。

• 参数

  晶体结构	立方
  晶格常数	a=5.65754Å
  密度	5.323（g/cm3）
  硬度	4（mohs）
  熔点	937.4℃
  生长方法	提拉法
  掺杂物质	不掺杂	掺Sb	掺In或Ga
  类型	/	N	P
  电阻率Ωcm	>35	0.05	0.05-0.1
  EPD	<4×103/cm2	<4×103/cm2	<4×103/cm2
  晶向	<111>、<100>、<110>±0.5º
  尺寸（mm）	25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
  表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
  抛光	单面或双面
  包装	100级洁净袋，1000级超净室

  
  

• 尺寸

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