AlN陶瓷
产品分类:玻璃/陶瓷衬底
氮化铝陶瓷基板具有导热系数高、电性能好、无毒等优点。它的热膨胀系数接近硅片,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子器件、半导体制冷等产品中作为高性能衬底材料和封装材料。编号密度···
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氮化铝陶瓷基板具有导热系数高、电性能好、无毒等优点。它的热膨胀系数接近硅片,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子器件、半导体制冷等产品中作为高性能衬底材料和封装材料。
编号 | 密度(g/cm3) | 热导率(W/m.K) | 热胀系数(x10-6/℃ | 电介质强度(Kv/mm) | 介电常数(at 1MHz) | 损耗角正切(x104@1 MHz) | 体电阻(ohm—cm) | 弯曲强度(Kg/mm2) |
SD5111 | >3.20 | 80~100 | <4.5 | >15 | 9.0 | 3~10 | >1013 | >20 |
SD5113 | >3.25 | 100~130 | <4.3 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >25 |
SD5115 | >3.25 | 140~170 | <4.3 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >28 |
SD5116 | 3.26 | >170 | <4.2 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >30 |
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