氧化镓参数介绍

产品分类：Znse|Inp|晶圆盒|光学窗口片

β-Ga2O3HomoepitaxialWaferSpeciﬁcation分类产品级Production科研级Research表面取向（010）（001）（010）（001）尺寸10mm×15mm2inch/10mm×15mm10mm×15mm2inch/10mm×15mm掺杂剂FeSnFeSn导电类型Insulating(>1010Ω·cm)n-typeI···

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产品详情

β-Ga2O3 Homoepitaxial Wafer Speciﬁcation

分类		产品级 Production		科研级 Research
	表面取向	（010）	（001）	（010）	（001）
	尺寸	10mm×15mm	2inch/10mm×15mm	10mm×15mm	2inch/10mm×15mm
	掺杂剂	Fe	Sn	Fe	Sn
	导电类型	Insulating(> 1010Ω·cm)	n-type	Insulating(> 1010Ω·cm)	n-type
	掺杂浓度	___	1×1018-2× 1019cm-3	___	1×1018-2× 1019cm-3
	厚度	0.50±0.02mm	0.65±0.02mm	0.70±0.10mm	0.70±0.10mm
	XRD FWHM	≤150arcsec	≤150arcsec	≤350arcsec	≤350arcsec
	晶型	β-Ga2O3		β-Ga2O3
	厚度范围	0.1-5μm		0.1-5μm
	厚度偏差	±5%		±10%
	厚度均匀性	≤2%		≤5%
	掺杂剂	Si / -		Si / -
	导电类型	n-type / UID		n-type / UID
	掺杂浓度	1×1017-1×1019cm-3		1×1017-1×1019cm-3
	掺杂浓度偏差	±10%		±15%
	掺杂浓度均匀性	≤5%		≤10%
	表面粗糙度	RMS≤0.5nm（10μm×10μm）		RMS≤3nm（10μm*10μ m）
	总缺陷密度（孔洞）	<1cm-2		<2cm-2
	可用面积（无缺陷表面占比 1mm ×1mm area）	≥95%		≥90%

2inch Ga2O3 Heteroepitaxial Wafer Speciﬁcation

分类		产品级 Production	科研级 Research
	衬底材料	Al2O3	Al2O3
	直径	φ50.8mm	φ50.8mm
	表面取向	（0001）	（0001）
	厚度	0.43mm	0.43mm
	厚度范围	0.01-2μm	0.01-2μm
	厚度偏差	±5%	±10%
	厚度均匀性	≤5%	≤10%
	晶型	β-Ga2O3 / ε-Ga2O3	β-Ga2O3 / ε-Ga2O3
	导电类型	(-201) / (002)	(-201) / (002)
	导电类型	UID	UID
	表面粗糙度	RMS≤5nm（10μm×10μm）	RMS≤5nm（10μm ×10μ m）
	总缺陷密度（孔洞）	<1cm-2	<2cm-2
	可用面积（无缺陷表面占比 1mm ×1mm area）	≥95%	≥90%

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